كل شيء
  • كل شيء
  • إدارة المنتجات
  • الأخبار والمعلومات
undefined
+
  • undefined

محطة مسبار تحليل التسرب الدقيق للضوء من EMMI Photon


يُعدّ نظام تحليل تحديد مواقع التسرب الدقيق لفوتونات EMMI أداةً حيوية في تحليل أعطال الدوائر المتكاملة، ويُعتبر تحديد مواقع التسرب ميزةً أساسيةً لمحللي الأعطال.
Category:

نظام اختبار EMMI

  • الوصف
  • المعلمات
  • تنزيل
  • فيديو
  • يُعدّ نظام تحليل تحديد مواقع التسربات الدقيقة للفوتونات من EMMI أداةً حيوية في تحليل أعطال الدوائر المتكاملة، إذ يُعتبر تحديد مواقع التسربات ميزةً أساسيةً لخبراء تحليل الأعطال. أثناء التشغيل، تعدّ ظواهر التسربات الدقيقة شائعةً جدًا في الرقائق—ومع ذلك، في الظروف القصوى، قد تتفاقم التسربات الخفية بشكل لا يمكن السيطرة عليه، مما قد يؤدي إلى تعطل الرقاقة أو حتى خلل شامل في النظام بأكمله. لذلك، فإن تحديد التسربات الدقيقة في الرقائق وتحليلها خطوة بالغة الأهمية في العملية الأوسع لبحث أعطال الدوائر المتكاملة.

    لتحليل أسباب فشل أجهزة أشباه الموصلات ذات الفجوة العريضة مثل GaN وSiC، أطلقت الشركة نظام اختبار EMMI بطاقة استجابة تتراوح من 400 نانومتر إلى 1000 نانومتر. يتيح هذا النظام المتطور تحديدًا دقيقًا لتيارات التسرب على مستوى الميكروأمبير في الرقائق، بما في ذلك HEMTs من GaN، ومصابيح LED من GaN، وخلايا ضوئية من SiC، والمفاصل من SiC، والترانزستورات MOSFET القائمة على السيليكون، والدوائر المتكاملة. يتميز النظام بدقة مكانية تفوق 1 ميكرومتر، وهو قادر على تصوير إشارات ضوئية خافتة جدًا.

    • أعلى كفاءة كمية: 82% @ 560 نانومتر
    • الدقة الفعالة: 2048×2048
    • المساحة الفعالة: 13.312 مم × 13.312 مم
    • درجة حرارة التبريد: 10°C
    • التيار المظلم: 0.6 إلكترونات/بكسل/ثانية
    • معدل الإطار: 30 هرتز
    • نطاق الطول الموجي: 400 نانومتر – 1100 نانومتر
    • الواجهة: USB 3.0